دیتاشیت SI1013R-T1-GE3
مشخصات دیتاشیت
| نام دیتاشیت |
SI1013R-T1-GE3
|
| حجم فایل |
79.576
کیلوبایت
|
| نوع فایل |
pdf
|
| تعداد صفحات |
8
|
مشخصات
-
RoHS:
true
-
Type:
P Channel
-
Category:
Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
-
Datasheet:
Vishay Intertech SI1013R-T1-GE3
-
Operating Temperature:
-55°C~+150°C@(Tj)
-
Power Dissipation (Pd):
150mW
-
Total Gate Charge (Qg@Vgs):
1.5nC@4.5V
-
Drain Source Voltage (Vdss):
20V
-
Continuous Drain Current (Id):
350mA
-
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id):
450mV@250uA
-
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id):
1.2Ω@4.5V,350mA
-
Package:
SC-75A
-
Manufacturer:
Vishay Intertech
